現(xiàn)在大家對(duì)網(wǎng)絡(luò)的速度要求都比較高，都是朝著更快的方向發(fā)展。想要更快的通信速度，村田硅電容自然是不可或缺的，硅電容可以解決目前的問題。

　　村田硅電容器主要設(shè)計(jì)用于光通信中的超寬頻需求。近年來(lái)，光通信速度每年都越來(lái)越快。當(dāng)通信速度達(dá)到毫米波寬帶時(shí)，超小貼片電容器(MLCC)內(nèi)部插入損耗將增加，相比之下，硅電容器具有插入損耗低、穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)，市場(chǎng)需求迅速擴(kuò)大。

　　通過(guò)應(yīng)用半導(dǎo)體MOS技術(shù)，村田的高密度硅電容器實(shí)現(xiàn)了三維化，大大增加了電容器的表面積，從而增加了基板單位面積的靜電容量。適用于網(wǎng)絡(luò)相關(guān)(RF功率放大器、寬帶通信)、高度可靠的用途，醫(yī)療，汽車，通信等。